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普莱思半导体已购爱思强有机金属化学气相沉积(MOCVD)反应器
时间:2018-09-21 来源:ledinside 点击:199

北京时间2018-09-21消息,中国触摸屏网讯,Plessey订购爱思强MOCVD反应器,助力MicroLED生产。普莱思半导体(Plessey)发布新闻稿宣布,公司已购买爱思强(AIXTRON )的AIX G5+ C有机金属化学气相沉积(MOCVD)反应器。此前,公司已向爱思强订购了一个反应器。

普莱思致力于采用硅基氮化镓外延片生产下一代Micro LED应用,而爱思强的MOCVD反应器将增强其硅基氮化镓外延片的制造能力。公司拟在2019年第一季度期间将此反应器安装在其位于英国普利茅斯(Plymouth)的制造工厂(27万平方公尺)并投入使用。

新的爱思强反应器提供自动卡匣式(C2C)晶圆传输模块晶片传送模块,具备两个独立的腔体配置选项,可实现8x6英寸或5x8英寸硅基氮化镓外延片在封闭的卡匣环境中的自动加载与移除。而普莱思现有的爱思强MOCVD反应器则可人工加载7x6英寸或3x8英寸外延片。

新反应器的自动化清洁技术能够确保设备在每次运行时都处于清洁状态,有助于降低晶圆缺陷率并大幅减少维修停工时间。此外,新设备还具有更快的倾斜升温与冷却以及高的基座卸载温度,从而缩短配方时间。

普莱思表示,AIX G5+ C反应器能够增强基于公司专有硅基氮化镓技术的单片Micro LED的研发能力。公司的Micro LED具备极低功耗、高亮度与超高像素密度等特点,将对使用LCD和OLED等传统技术的现有应用领域带来潜在的冲击。

普莱思旨在成为开发创新显示引擎和全磁场自发光Micro LED显示器的全球领导照明商。该设备结合了超高密度RGB像素阵列与高性能互补金属氧化物半导体(CMOS)背板,具有高亮度、低功耗及高帧频图像源等特点,可用于AR/VR系统的头戴式显示器和穿戴式电子设备。

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